IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD400HFT170C2SN

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

700

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

@ T C =80 ℃

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

2632

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M6

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1700

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

281

NS

t r

Aufstiegszeit

79

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

795

NS

t F

Herbstzeit

120

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

104

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

86

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

299

NS

t r

Aufstiegszeit

102

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

t F

Herbstzeit

202

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

136

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

35.3

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.46

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.17

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC = 1000 V, v CEM ≤1700V

1600

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j =125 ℃

1.90

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F = 400A,

v r =900V,

r g =3.6Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

100

μC

t j =125 ℃

170

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

440

Ein

t j =125 ℃

480

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

54.0

mJ

t j =125 ℃

95.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.057

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.110

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht Modul

300

g