3600V 1700A
Kurze Einführung
IGBT-Modul ,Hochspannung, von Stärken . 1700V 3600A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
VCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
VGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom@ TC=25℃ Kollektorstrom@ TC=80℃ | 5200 | Ein |
3600 | |||
ICM(1) | Pulsierende Kollektorstrom tp= 1ms | 7200 | Ein |
IF | Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom | 3600 | Ein |
IFM | Diode maximale Vorwärtsstrom | 7200 | Ein |
PD | Maximale Verlustleistung @ Tj= 175℃ | 19.7 | kW |
Tj | Maximale Junction-Temperatur | 175 | ℃ |
Tstg | Lagerungstemperaturbereich | -40 bis +125 | ℃ |
VISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
Montage | Signalterminal-Schraube:M4 Leistungsanschluss-Schraube:M8 | 1.8 bis 2.1 8.0 bis 10 |
N.M |
Drehmoment | Montageschraube:M6 | 4.25 bis 5.75 |
|
Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige Hinweis
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
V(BR)CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | Tj=25℃ | 1700 |
|
| v |
ICES | Sammler-Abschlusstrom | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
| 400 | NA |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
VGE(th) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃ |
| 2.00 | 2.45 |
v |
IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃ |
| 2.40 | 2.85 |
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
QG | Gate-Ladung | VGE=- 15…+15V |
| 42.0 |
| μC |
RGint | Interner Gate-Widerstand | Tj=25℃ |
| 0.5 |
| Ω |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj=25℃ |
| 730 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 205 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 1510 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 185 |
| NS | |
EON | Einschalt-Schaltverluste |
| 498 |
| mJ | |
EOFF | Ausschalt-Schaltverluste |
| 1055 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj= 125℃ |
| 785 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 225 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 1800 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 325 |
| NS | |
EON | Einschalt-Schaltverluste |
| 746 |
| mJ | |
EOFF | Ausschalt-Schaltverluste |
| 1451 |
| mJ | |
Cies | Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 317 |
| NF |
Coes | Ausgangskapazität |
| 13.2 |
| NF | |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 10.5 |
| NF | |
ISC |
SC-Daten | tSC≤10μs,VGE=15V, Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
14000 |
|
Ein |
LCE | Streuinduktivität |
|
| 10 |
| nH |
RCC’+EE ’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
| 0.12 |
| mΩ |
Elektrische Eigenschaften der Diode TC=25℃ es sei denn, es ist anders angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
VF | Diodenvorwärts Spannung | IF=3600A | Tj=25℃ |
| 1.80 | 2.20 | v |
Tj= 125℃ |
| 1.90 | 2.30 | ||||
Qr | Wiederhergestellte Ladung |
IF=3600A, VR=900V, RGon=0.4Ω, VGE=- 15V | Tj=25℃ |
| 836 |
| μC |
Tj= 125℃ |
| 1451 |
| ||||
IRM | Rückwärts-Rückgewinnungsstrom | Tj=25℃ |
| 2800 |
| Ein | |
Tj= 125℃ |
| 3300 |
| ||||
Erek | Rückwärtsrekuperationsenergie | Tj=25℃ |
| 590 |
| mJ | |
Tj= 125℃ |
| 1051 |
| ||||
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