IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD300SGL170C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

460

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

600

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

2273

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4

1.1 bis 2.0

Anschlussdrehmoment, Schraube M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montagedrehmoment, Schraube M6

3,0 bis 5.0

g

Gewicht von Modul

300

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1700

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.4

6.2

7.4

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.50

2.95

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 ℃

3.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

464

NS

t r

Aufstiegszeit

157

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

421

NS

t F

Herbstzeit

290

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

108

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125℃

483

NS

t r

Aufstiegszeit

161

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

t F

Herbstzeit

538

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

128

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

83.7

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

20.4

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.72

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC = 1300 V, v CEM ≤1700V

960

Ein

Q g

Gate-Ladung

v CC =900V,I C =300A, v GE =-15 ﹍+15V

2.4

μC

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 300A

t j =25 ℃

1.80

2.25

v

t j =125 ℃

1.95

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F =300A,

v r =900V,

r g = 4,7Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

70.3

μC

t j =125 ℃

108

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

209

Ein

t j =125 ℃

238

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

40.7

mJ

t j =125 ℃

65.1

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.066

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.105

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W