IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD300HFT170C2S

Einheiten

VCES

Kollektor-Emitter Spannung

1700

v

VGFs

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Spannung

±20

v

IC

Sammler Aktuell @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

Ein

300

ICM(1)

Pulsierend Sammler Aktuell tp= 1ms

600

Ein

Ir

Diode Kontinuierlich Vorwärts Aktuell

300

Ein

IM

Diode Maximum Vorwärts Aktuell

600

Ein

PP

Maximum Leistung Abgabe @Tj=175℃

2083

W

TSC

Kurz SCHALTUNG Widerstand leisten. Zeit @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Maximum Junction Temperatur

175

℃

Tstg

Lagerung Temperatur Reichweite

-40 to+125

℃

I²t-Wert,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

VISO

Isolation Spannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage Drehmoment

Leistung Anschluss Schraube :M6

2.5 Um 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3.0 Um 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min .

Typ .

Max .

Einheiten

BVcrs

Kollektor-Emitter

Durchbruch Spannung

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

v

ICES

Sammler Cut-Off Aktuell

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25℃

3.0

mA

IGrs

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Leckage Aktuell

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min .

- Das ist typisch.

Max .

Einheiten

Vcπ(h)

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Schwellenwert Spannung

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE (Sat)

Sammler Um Emitter Sättigung Spannung

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

v

IC =300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min .

- Das ist typisch.

Max .

Einheiten

taon)

Einschalten Verzögerung Zeit

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

NS

t

Aufstieg Zeit

82

NS

ta (o)

Ausschalten Verzögerung Zeit

801

NS

Tr

Fall Zeit

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

NS

EON

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

70

mJ

Eofr

Ausschalten Schaltvorgang

Verlust

65

mJ

ta(on)

Einschalten Verzögerung Zeit

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

NS

t

Aufstieg Zeit

103

NS

ta(om)

Ausschalten Verzögerung Zeit

1002

NS

Tr

Fall Zeit

203

NS

EON

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

105

mJ

EOR

Ausschalten Schaltvorgang

Verlust

94

mJ

Cies

Eingabe Kapazität

VCE=25V,f=1MHz,

VGr=0V

27.0

NF

Coes

Ausgang Kapazität

1.1

NF

Cres

umgekehrt Übertragung

Kapazität

0.9

NF

ISC

SC Daten

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

Ein

RGint

Intern Tor Widerstand CE

2.5

Ω

LCr

Streuwiderstand Induktivität

20

nH

RcC'+EE'

Modul Führen Widerstand, Anschluss Um Chip

TC=25℃

0.35

m2

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min .

- Das ist typisch.

Max .

Einheiten

VR

Diode Vorwärts

Spannung

Iq=300A

Tj=25℃

1.8

v

Ti=125℃

1.9

Q

Diode umgekehrt

Genesung ladevorgang

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125℃

131

IRM

Diode Höhepunkt

umgekehrt Genesung Aktuell

Tj=25℃

351

Ein

T=125℃

383

Eree

umgekehrt Genesung Energie

Tj=25℃

40

mJ

Tj=125℃

72

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max .

Einheiten

Rac

Junction -Um -Fallstudie (IGBT Teil , pro 1/2 Modu le)

0.072

K/W

Rac

Junction -Um -Fallstudie (Diode Teil , P er 1/2 Modul)

0.13

K/W

Roc

Gehäuse zu Sink (Leitfähig Fett aufgetragen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

g