IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

490

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

2027

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.80

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.90

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

20.3

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.69

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

2.31

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

200

NS

t r

Aufstiegszeit

97

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

410

NS

t F

Herbstzeit

370

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

82.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

60.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

250

NS

t r

Aufstiegszeit

99

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

630

NS

t F

Herbstzeit

580

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

115

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

90.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

260

NS

t r

Aufstiegszeit

105

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

670

NS

t F

Herbstzeit

640

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

125

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

100

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

90.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

270

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

45.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

135

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

315

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

75.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

160

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

330

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

84.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

t C = 100O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.074

0.121

K/W

r θ CS

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

0.029

0.047

K/W

r θ CS

Gehäuse zu Sink

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Gewicht Modul

350

g