IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

430

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1851

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.80

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.90

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.3

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

20.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.72

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

1.8

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

464

NS

t r

Aufstiegszeit

157

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

421

NS

t F

Herbstzeit

290

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

108

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j =125 O C

483

NS

t r

Aufstiegszeit

161

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

t F

Herbstzeit

538

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

128

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

83.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j =150 O C

492

NS

t r

Aufstiegszeit

165

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

483

NS

t F

Herbstzeit

747

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

141

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

92.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j = 150O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

960

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

70

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

209

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

40.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

108

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

238

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

65.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

123

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

253

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.081

0.138

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.032

0.054

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g