IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

3550

2400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

4800

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

2400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

4800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

12.8

kW

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =96 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.4

7.4

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =2400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.95

2.40

v

I C =2400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =2400A, r Gon = 1.0Ω,

r Goff =2.3Ω,

v GE =±15V,T j =25 ℃

188

NS

t r

Aufstiegszeit

131

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1040

NS

t F

Herbstzeit

132

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

272

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

320

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =2400A, r Gon = 1.0Ω,

r Goff =2.3Ω,

v GE =±15V,T j =125 ℃

214

NS

t r

Aufstiegszeit

184

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1125

NS

t F

Herbstzeit

138

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

268

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

416

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

TBD

NF

C - Die

Ausgangskapazität

TBD

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

TBD

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =150 °C, V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

9000

Ein

Q g

Gate-Ladung

v CC =600V,I C =2400A, v GE =-15 ﹍+15V

TBD

μC

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.3

Ω

L CE

Streuinduktivität

12

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =2400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j =125 ℃

1.75

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F =2400A,

v r =600V,

r g = 1.6Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

246

μC

t j =125 ℃

435

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

810

Ein

t j =125 ℃

1160

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

103

mJ

t j =125 ℃

182

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

11.7

K/kW

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

21.9

K/kW

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

6

K/kW