GD225HTT120C7S, IGBT-Modul, 6 in einem Gehäuse, STARPOWER

1200V 225A

Brand:

Stärken

Spu:

GD225HTT120C7S

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 225A.

Merkmale

Typische Anwendungen

IGBT -Wechselrichter t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol	Beschreibung	GD225HTT120C7S	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters @ T j =25 ℃	±20	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	400 225	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms	450	Ein
P tot	Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175 ℃	1442	W

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =225A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =225A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.00		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		251		NS
t r	Aufstiegszeit			89		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			550		NS
t F	Herbstzeit			125		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			/		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			/		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃		305		NS
t r	Aufstiegszeit			100		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			660		NS
t F	Herbstzeit			162		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			15.1		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			35.9		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		16.0		NF
C - Die	Ausgangskapazität			0.84		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.73		NF
Q g	Gate-Ladung	v CC =600V,I C =225A, v GE =15V		2.1		μC
r Gint	Innen-Gatterwiderstand			3.3		Ω
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		900		Ein

Diode -Wechselrichter t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol	Beschreibung	GD225HTT120C7S	Einheiten
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung @ T j =25 ℃	1200	v
I F	DC Vorwärtsstrom @ T C =80 ℃	225	Ein
I FRM	Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms	450	Ein

Charakteristikwerte

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =225A, v GE =0V	t j =25 ℃		1.65	2.15	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =225A, v GE =0V	t j =125 ℃		1.65		v
Q r	Wiederhergestellte Ladung	I F =225A, v r =600V, r g =3.3Ω, v GE =-15V	t j =25 ℃		22		μC
Q r	Wiederhergestellte Ladung		t j =125 ℃		43		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		160		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =125 ℃		198		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		11.2		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =125 ℃		19.9		mJ

Elektrische Eigenschaften von NTC t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

IGBT-Modul

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute		2500		v
L CE	Streuinduktivität		20		nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip @ T C =25 ℃		1.10		mΩ
r θ JC	Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro IGBT-Wandler) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er)			0.104 0.173	K/W
r θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)		0.005		K/W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur			175	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40		125	℃
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montage Schraube: M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		910		g