GD225HTL120C7S, IGBT-Modul, 6 in einem Gehäuse, STARPOWER

1200V 225A

Brand:

Stärken

Spu:

GD225HTL120C7S

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 225A.

Merkmale

Typische Anwendungen

IGBT -Wechselrichter t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol	Beschreibung	GD225HTL120C7S	Einheiten
v CES	Kollektor-Emitter-Spannung @ T j =25 ℃	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	± 20	v
I C	Kollektorstrom @ T C = 25℃ @ T C = 100℃	400 225	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	450	Ein
P tot	Gesamtleistungsverlust @ T j = 175℃	1973	W

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =225A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =225A,V GE =15V, t j = 125℃		2.10		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
Q g	Gate-Ladung	v GE =- 15…+15V		2.3		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃		168		NS
t r	Aufstiegszeit			75		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			440		NS
t F	Herbstzeit			55		NS
e auf	Einschaltsteuerung Verlust			27.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			37.2		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃		176		NS
t r	Aufstiegszeit			75		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			510		NS
t F	Herbstzeit			75		NS
e auf	Einschaltsteuerung Verlust			13.5		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			22.5		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		16.6		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.20		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.78		NF
I SC	SC-Daten	t s C ≤ 10μs,V GE ≤ 15 V, t j =125 ℃ ,V CC =600V, v CEM ≤ 1200V		1050		Ein
r Gint	Interne Gate-Widerstands tance			1.0		Ω

Diode -Wechselrichter t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol	Beschreibung	GD225HTL120C7S	Einheiten
v RRM	Kollektor-Emitter-Spannung @ T j =25 ℃	1200	v
I F	DC Vorwärtsstrom @ T C =80 ℃	225	Ein
I FRM	Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms	450	Ein

Charakteristikwerte

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =225A, v GE =0V	t j =25 ℃		1.80	2.20	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =225A, v GE =0V	t j = 125℃		1.85		v
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r = 600 V, I F =225A, r g =5.0Ω, v GE =- 15V	t j =25 ℃		30		μC
Q r	Wiederhergestellte Ladung		t j = 125℃		57		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		195		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j = 125℃		255		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		10.8		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j = 125℃		22.5		mJ

Elektrische Eigenschaften von NTC t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

IGBT-Modul

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	2500			v
L CE	Streuinduktivität		20		nH
r CC ’+ EE ’	Modulanschlusswiderstand,Terminal zu Chip @ T C =25 ℃		1.1		m Ω
r θ JC	Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.076 0.154	K/W
r θ CS	Gehäuse-zu-Senke (leitfähiges Fett aufgetragen)		0.005		K/W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur			175	℃
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40		125	℃
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M5	3.0		6.0	N.M
Montage Drehmoment	Montage Schraube:M6	3.0		6.0	N.M
Gewicht	Gewicht von Modul		910		g