IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD200SGL120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

400

Ein

200

I CM (1)

Pulsierte Kollektorström nt

400

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

200

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 175℃

1875

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t j

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

6900

Ein 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5

N.M

Montage Schraube:M6

3 Um 6

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =4 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

v

I C =200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A,

r g =5Ω, V GE = ± 15 V,

110

NS

t r

Aufstiegszeit

60

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

t j =25 ℃

360

NS

t F

Herbstzeit

v CC =600V,I C =200A,

r g =5Ω, V GE = ± 15 V,

t j =25 ℃

60

NS

e auf

Einschaltsteuerung Verlust

18

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

15

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A,

r g =5Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

120

NS

t r

Aufstiegszeit

60

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

420

NS

t F

Herbstzeit

70

NS

e auf

Einschaltsteuerung Verlust

21

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

18

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1MHz,

v GE =0V

18.0

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.64

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.72

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 ℃ , V CC =900V,

v CEM ≤ 1200V

1080

Ein

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modul Blei

Widerstand, Anschluss Um Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A

t j =25 ℃

2.0

2.2

v

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F =200A,

v r =600V,

di/dt=-6000A/μs, v GE =- 15V

t j =25 ℃

24

μC

t j = 125℃

32

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

240

Ein

t j = 125℃

280

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

6

mJ

t j = 125℃

10

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, p er Modul)

0.08

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (DIODE-Teil, pro Modu l)

0.17

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

310

g