IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD200MLT120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters @ T j =25 ℃

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

360

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

400

Ein

P tot

Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175 ℃

1163

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

248

NS

t r

Aufstiegszeit

88

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

540

NS

t F

Herbstzeit

131

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

9.85

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V GE =±15V, t j = 125℃

298

NS

t r

Aufstiegszeit

99

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

645

NS

t F

Herbstzeit

178

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

15.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.9

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

14.4

NF

C - Die

Ausgangskapazität

0.75

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.65

NF

Q g

Gate-Ladung

v CC =600V,I C =200A, v GE =-15 ﹍+15V

1.90

μC

r Gint

Innen-Gatterwiderstand

3.8

Ω

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Beschreibung

GD200MLT120C2S

Einheiten

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung @ T j =25 ℃

1200

v

I F

Gleichstrom vorwärts T C =8 0℃

200

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A

t j =25 ℃

1.65

2.10

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =200A,

v r =600V,

r g =3.6Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

20.0

μC

t j =125 ℃

26.1

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

151

Ein

t j =125 ℃

190

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

9.20

mJ

t j =125 ℃

17.1

Symbol

Beschreibung

GD200MLT120C2S

Einheiten

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung @ T j =25 ℃

1200

v

I F

Gleichstrom vorwärts T C =8 0℃

200

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,

v GE =0V

t j =25 ℃

1.65

2.10

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =200A,

v r =600V,

r g =3.6Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

20.0

μC

t j =125 ℃

26.1

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

151

Ein

t j =125 ℃

190

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

9.20

mJ

t j =125 ℃

17.1

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

r θ JC

Verbindungshalbleiter-zu-Gehäuse (pro IGBT T1 T2 T3 T4) Verbindungshalbleiter-zu-Gehäuse (pro Diode D1 D2 D3 D4) Verbindungshalbleiter-zu-Gehäuse (pro Diode D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40

150

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40

125

℃

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M6

Montageschraube:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

Gewicht

Gewicht Modul

340

g