IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

329

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1102

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

18.2

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.56

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

1.20

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

213

NS

t r

Aufstiegszeit

64

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

280

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

4.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

16.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

285

NS

t r

Aufstiegszeit

78

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

363

NS

t F

Herbstzeit

278

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

7.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

293

NS

t r

Aufstiegszeit

81

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

374

NS

t F

Herbstzeit

327

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

8.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

25.2

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

2.15

2.55

v

I F =200A,V GE =0V,T j =125 O C

2.20

I F =200A,V GE =0V,T j =150 O C

2.15

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

16.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

169

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.2

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

24.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

204

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.2

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

31.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

222

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

22

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.136

0.194

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.156

0.223

0.046

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

200

g