GD200HFT120C5S_G8, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	± 30	v
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 100O C	310 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	1034	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	O C
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute	2500	v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	v
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C	5.0	5.8	6.5	v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interner Gate-Widerst and			1.0		Ω
C ies	Eingangskapazität	v CE =30V, f=1MHz, v GE =0V		18.2		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	v CE =30V, f=1MHz, v GE =0V		0.56		NF
Q g	Gate-Ladung	v GE =15V		1.20		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		213		NS
t r	Aufstiegszeit			64		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			280		NS
t F	Herbstzeit			180		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			4.10		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.3		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		285		NS
t r	Aufstiegszeit			78		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			363		NS
t F	Herbstzeit			278		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			7.40		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C		293		NS
t r	Aufstiegszeit			81		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			374		NS
t F	Herbstzeit			327		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			8.70		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			25.2		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		800		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	v
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C		17.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			245		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.00		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C		32.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			260		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			14.0		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C		37.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			265		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			15.3		mJ

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
r 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von r 100	t C = 100O C, R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistungsverlust				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		30		nH
r CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		2.20		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.145 0.243	K/W
r thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		0.064 0.107 0.02		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5	3.0 2.5		6.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		200		g