GD200HFT120C2S_T4F, IGBT-Modul, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stärken

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	GD200HFT120C2S_T4F	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	300 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms	400	Ein
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃	1119	W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	v
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6	2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0	N.M
Gewicht	Gewicht von Modul	300	g

Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =7.6 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.1	5.8	6.4	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		2.05	2.45	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.40		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		362		NS
t r	Aufstiegszeit			112		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			378		NS
t F	Herbstzeit			115		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.4		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			9.50		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125℃		364		NS
t r	Aufstiegszeit			113		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			405		NS
t F	Herbstzeit			125		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			21.5		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			15.4		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		12.3		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		0.69		NF
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		800		Ein
r Gint	Interner Gate-Widerst and			3.8		Ω
L CE	Streuinduktivität				20	nH
r CC’+EE’	Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip			0.35		mΩ

Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =25 ℃		1.95	2.35	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =125 ℃		2.05		v
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	I F =200A, v r =600V, r g = 4,7Ω, v GE =-15V	t j =25 ℃		10.1		μC
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang		t j =125 ℃		21.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		113		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =125 ℃		170		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		5.07		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =125 ℃		13.6		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
r θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T)		0.134	K/W
r θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.194	K/W
r θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)	0.035		K/W