IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

285

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

882

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.0

5.9

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

17.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.55

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

1.07

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g = 1,0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

296

NS

t r

Aufstiegszeit

77

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

391

NS

t F

Herbstzeit

172

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

4.25

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

16.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g = 1,0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

272

NS

t r

Aufstiegszeit

79

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

423

NS

t F

Herbstzeit

232

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

6.45

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

22.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g = 1,0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

254

NS

t r

Aufstiegszeit

80

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

430

NS

t F

Herbstzeit

280

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

8.30

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

24.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

v

I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

18.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

240

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.10

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

33.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

38.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

260

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.170

0.280

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.161

0.265

0.050

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

150

g