GD200HFT120B3S_G8, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Notstromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	± 30	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	330 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃	1103	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	v

IGBT Eigenschaften t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	v
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 ℃		2.00
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA
r Gint	Interner Gate-Widerst and			1.0		Ω
C ies	Eingangskapazität	v CE =30V, f=1MHz, v GE =0V		18.2		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	v CE =30V, f=1MHz, v GE =0V		0.56		NF
Q g	Gate-Ladung	v GE =15V		1.20		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		213		NS
t r	Aufstiegszeit			64		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			280		NS
t F	Herbstzeit			180		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			4.10		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.3		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 125℃		285		NS
t r	Aufstiegszeit			78		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			363		NS
t F	Herbstzeit			278		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			7.40		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3,0Ω,V GE =±15V, t j = 150℃		293		NS
t r	Aufstiegszeit			81		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			374		NS
t F	Herbstzeit			327		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			8.70		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			25.2		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 ℃ ,v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		800		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I C =200A,V GE =0V,T j =25 ℃		2.15	2.55	v
		I C =200A,V GE =0V,T j = 125℃		2.20
		I C =200A,V GE =0V,T j = 150℃		2.15
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	v r =600V,I F =200A, r g =3.0Ω, v GE =-15V t j =25 ℃		16.2		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			169		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			10.2		mJ
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	v r =600V,I F =200A, r g =3.0Ω, v GE =-15V t j = 125℃		24.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			204		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			16.2		mJ
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	v r =600V,I F =200A, r g =3.0Ω, v GE =-15V t j = 150℃		31.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			222		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			19.4		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität			20	nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip		0.35		mΩ
r θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.136 0.194	K/W
r θ CS	Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Gehäuse-Senk (pro Diode)		0.060 0.085		K/W
r θ CS	Gehäuse zu Sink		0.035		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		300		g