GD200HFL120C8SN, IGBT-Modul, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stärken

Spu:

GD200HFL120C8SN

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	GD200HFL120C8SN	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	400 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms	400	Ein
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃	1724	W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	v
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M5 Montageschraube: M5	2,5 bis 3.5 2,5 bis 3.5	N.M

Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.10		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		365		NS
t r	Aufstiegszeit			79		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			396		NS
t F	Herbstzeit			165		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			8.00		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			14.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃		372		NS
t r	Aufstiegszeit			83		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			420		NS
t F	Herbstzeit			293		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			11.0		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			22.3		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		14.9		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.04		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.68		NF
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		1200		Ein
r Gint	Interner Gate-Widerst and			1.0		Ω
L CE	Streuinduktivität				22	nH
r CC’+EE’	Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip			0.65		mΩ

Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F (Chip)	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =25 ℃		1.80	2.25	v
v F (Chip)	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =125 ℃		1.85		v
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	I F =200A, v r =600V, r g =3.3Ω, v GE =-15V	t j =25 ℃		17.2		μC
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang		t j =125 ℃		35.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		160		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =125 ℃		213		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		11.2		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =125 ℃		21.2		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
r θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T)		0.087	K/W
r θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.160	K/W
r θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)	0.046		K/W
Gewicht	Gewicht Modul	200		g