GD200HFL120C8S, IGBT-Modul, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stärken

Spu:

GD200HFL120C8S

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	GD200HFL120C8S	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	± 20	v
I C	Kollektorstrom @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	400	Ein
I C	Kollektorstrom @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	200	Ein
I CM (1)	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	400	Ein
I F	Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j = 175℃	1402	W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M5	2,5 bis 5.0	N.M
Montage Drehmoment	Montage Schraube:M6	3,0 bis 5.0	N.M

Notizen:

(1) Repetitive Bewertungen : Puls Breite Begrenzt von Max . Junction Temperatur

Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =8.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j = 125℃		2.10		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃		437		NS
t r	Aufstiegszeit			75		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			436		NS
t F	Herbstzeit			165		NS
e auf	Einschaltsteuerung Verlust			10.0		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			15.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃		445		NS
t r	Aufstiegszeit			96		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			488		NS
t F	Herbstzeit			258		NS
e auf	Einschaltsteuerung Verlust			15.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			22.3		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		14.9		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.04		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.68		NF
I SC	SC-Daten	t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V, v CEM ≤ 1200V		1200		Ein
r Gint	Interne Gate-Widerstands tance			1.0		Ω
L CE	Streuinduktivität				26	nH
r CC ’+ EE ’	Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip	t C =25 ℃		0.62		m Ω

Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =25 ℃		1.82	2.25	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j = 125℃		1.95		v
Q r	Wiederhergestellte Ladung	I F =200A, v r = 600 V, di/dt=-2370A/μs, v GE =- 15V	t j =25 ℃		16.6		μC
Q r	Wiederhergestellte Ladung		t j = 125℃		29.2		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		156		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j = 125℃		210		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		9.3		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j = 125℃		16.0		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
r θ JC	Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)		0.107	K/W
r θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.198	K/W
r θ CS	Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)	0.046		K/W
Gewicht	Gewicht von Modul	200		g