IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD200HFK60C8SN

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

600

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

283

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

400

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 50℃

714

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M5

Montageschraube: M5

2,5 bis 3.5

2,5 bis 3.5

N.M

Gewicht

Gewicht von Modul

200

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

600

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =500μA, v CE = v GE , t j =25 ℃

3.5

4.5

5.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.80

2.25

v

I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =200A, r g =6,8Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

320

NS

t r

Aufstiegszeit

123

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

318

NS

t F

Herbstzeit

90

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.79

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

5.08

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =200A, r g =6,8Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

339

NS

t r

Aufstiegszeit

125

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

344

NS

t F

Herbstzeit

113

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

3.00

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

6.95

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

16.9

NF

C - Die

Ausgangskapazität

0.88

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.42

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =360V, v CEM ≤600V

1800

Ein

Q g

Gate-Ladung

v CC =400V,I C =200A, v GE =15V

0.72

μC

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.35

Ω

L CE

Streuinduktivität

22

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A

t j =25 ℃

1.33

1.78

v

t j =125 ℃

1.30

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F =200A,

v r = 300 V,

r g =6,8Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

9.3

μC

t j =125 ℃

13.2

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

112

Ein

t j =125 ℃

125

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

2.09

mJ

t j =125 ℃

3.22

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.175

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.317

K/W