GD200HFK120C8SN, IGBT-Modul, STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =150 O C	1157	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	150	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +125	O C
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	O C
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		2.15	2.60	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		2.65		v
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =2.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C	4.8	5.7	6.3	v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interner Gate-Widerst and			1.0		Ω
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		12.9		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		0.82		NF
Q g	Gate-Ladung	v GE =- 15…+15V		2.05		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		373		NS
t r	Aufstiegszeit			104		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			459		NS
t F	Herbstzeit			168		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			12.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			17.1		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		373		NS
t r	Aufstiegszeit			105		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			475		NS
t F	Herbstzeit			197		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.4		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.7		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =125 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		1500		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I C =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65	2.05	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I C =200A,V GE =0V,T j =125 O C		1.65		v
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	v r =600V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		17.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			145		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.1		mJ
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	v r =600V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C		34.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			190		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			16.7		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität			22	nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip		0.65		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (pro IGB T) Junction-to-Case (pro Di ode)			0.108 0.230	K/W
r thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.135 0.288 0.046		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		200		g