GD200HFK120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stärken

Spu:

GD200HFK120C2S

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	GD200HFK120C2S	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	360 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms	400	Ein
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 50℃	1344	W
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	150	℃
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +125	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	v
Montage Drehmoment	Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6	2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0	N.M
Gewicht	Gewicht von Modul	300	g

Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =2.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	4.4	5.1	6.0	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		2.20	2.65	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.50		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3.4Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		329		NS
t r	Aufstiegszeit			76		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			350		NS
t F	Herbstzeit			142		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			14.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			14.8		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g =3.4Ω,V GE =±15V, t j = 125℃		351		NS
t r	Aufstiegszeit			77		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			382		NS
t F	Herbstzeit			183		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			19.2		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			19.9		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =30V, f=1MHz, v GE =0V		17.2		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.60		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.64		NF
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		1600		Ein
r Gint	Interner Gate-Widerst and			2.0		Ω
L CE	Streuinduktivität				20	nH
r CC’+EE’	Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip			0.35		mΩ

Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =25 ℃		1.95	2.35	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	t j =125 ℃		1.85		v
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	I F =200A, v r =600V, r g =3.4Ω, v GE =-15V	t j =25 ℃		13.4		μC
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang		t j =125 ℃		26.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		160		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =125 ℃		203		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		8.16		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =125 ℃		14.4		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
r θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T)		0.093	K/W
r θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.193	K/W
r θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)	0.035		K/W