IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2500

Ein

1600

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

3200

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1600

Ein

I FM

Diode maximale Vorwärtsstrom

3200

Ein

P D

Maximalleistung t j =150 ℃

8.3

kW

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

300

kA 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

N.M

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =64mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =1600A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

v

I C =1600A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q GE

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

16.8

μC

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1600A,

r g =0.82Ω,

v GE =± 15V,T j =25 ℃

225

NS

t r

Aufstiegszeit

105

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1100

NS

t F

Herbstzeit

100

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

148

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

186

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1600A,

r g =0.82Ω,

v GE =± 15V,T j =125 ℃

235

NS

t r

Aufstiegszeit

105

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1160

NS

t F

Herbstzeit

105

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

206

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

239

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

119

NF

C - Die

Ausgangskapazität

8.32

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

5.44

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 ℃ ,

v CC =900V, v CEM ≤ 1200V

7000

Ein

r Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.1

Ω

L CE

Streuinduktivität

12

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.19

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =1600A

t j =25 ℃

2.1

v

t j =125 ℃

2.2

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =1600A,

v r =600V,

di/dt=-7500A/μs, v GE =-15V

t j =25 ℃

73

μC

t j =125 ℃

175

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

510

Ein

t j =125 ℃

790

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

17

mJ

t j =125 ℃

46

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, pro Modul)

15

K/kW

r θJC

Junction-to-Case (Diodenteil, pro M (siehe auch

26

K/kW

r θCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pe er Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g