IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD1200HFT120C3S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1800

Ein

1200

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

2400

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1200

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

2400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

5.2

kW

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V,

t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =48 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C = 1200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

11.5

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1200A,

r Gon = 2,4Ω,

r Goff =0.82Ω,

v GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

NS

t r

Aufstiegszeit

230

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

820

NS

t F

Herbstzeit

150

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

/

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

/

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1200A,

r Gon = 2,4Ω,

r Goff =0.82Ω,

v GE = ± 15V,T j = 125℃

660

NS

t r

Aufstiegszeit

220

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

246

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

191

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

86.1

NF

C - Die

Ausgangskapazität

4.50

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

3.90

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V,

v CEM ≤ 1200V

4800

Ein

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.15

v

t j = 125℃

1.65

2.15

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F = 1200A,

v r =600V,

r Gon = 2,4Ω,

v GE =- 15V

t j =25 ℃

69

μC

t j = 125℃

129

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

485

Ein

t j = 125℃

623

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

32

mJ

t j = 125℃

60

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

24

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (pro Di ode)

43

K/kW

r θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g