IGBT-Modul，1200V 1200A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 1200A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Beschreibung | GD1200HFL120C3S | Einheiten |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
I C | Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃ | 1900 1200 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms | 2400 | Ein |
I F | Diode kontinuierlich vorwärts rent | 1200 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 2400 | Ein |
P D | Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃ | 6.41 | kW |
t jmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | ℃ |
t - Was ist los? | Maximale Junction-Temperatur | -40 bis +150 | ℃ |
t stg | Lagerungstemperatur Reichweite | -40 bis +125 | ℃ |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | v |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M4 | 1.8 bis 2.1 |
|
Anschlussdrehmoment, Schraube M8 | 8.0 bis 10 | N.M | |
Montagedrehmoment, Schraube M6 | 4.25 bis 5.75 |
| |
g | Gewicht von Modul | 1500 | g |
Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v (BR )CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | t j =25 ℃ | 1200 |
|
| v |
I CES | Sammler Schnitt -aus Aktuell | v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
I GES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v GE (th ) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | I C =48.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃ | 5.4 |
| 7.4 | v |
v CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | I C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃ |
| 1.95 | 2.40 |
v |
I C = 1200A,V GE =15V, t j =125 ℃ |
| 2.10 |
|
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 1200A, r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, v GE =±15 V,T j =25 ℃ |
| 200 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 135 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1050 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 130 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 136 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 160 |
| mJ | |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 1200A, r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, v GE =±15 V,T j = 125℃ |
| 220 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 190 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1150 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 140 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 184 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 208 |
| mJ | |
C ies | Eingangskapazität | v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V |
| 84.8 |
| NF |
C res | Rückübertragungs- Kapazität |
| 3.76 |
| NF | |
I SC | SC-Daten | t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V |
| 4500 |
| Ein |
r Gint | Interner Gate-Widerst and |
|
| 2.7 |
| Ω |
L CE | Streuinduktivität |
|
| 20 |
| nH |
r CC’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F = 1200A | t j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.20 | v |
t j =125 ℃ |
| 1.75 |
| ||||
Q r | Wiederhergestellt ladevorgang | I F = 1200A, v r =600V, r Gon =2. 1Ω, v GE =-15V | t j =25 ℃ |
| 400 |
| μC |
t j =125 ℃ |
| 680 |
| ||||
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | t j =25 ℃ |
| 1400 |
| Ein | |
t j =125 ℃ |
| 1840 |
| ||||
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | t j =25 ℃ |
| 160 |
| mJ | |
t j =125 ℃ |
| 296 |
| ||||
Thermische Eigenschaften ics
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
r θ JC | Junction-to-Case (pro IGB T) |
| 23.4 | K/kW |
r θ JC | Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
| 46.1 | K/kW |
r θ CS | Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen) | 6 |
| K/kW |
DE
