IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F = 75 O C

765

Ein

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp Begrenzt von t vjop

2000

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C ,t j =175 O C

1515

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

v

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

765

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp Begrenzt von t vjop

2000

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C

4100

3000

Ein

I 2t

I 2t- Wert ,t P =10 ms @ t Vj =25 O C @ T Vj =150 O C

84000

45000

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.45

1.90

v

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.65

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.80

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=100kHz, v GE =0V

51.5

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

13.6

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, v GE =-8V/+15V,

t Vj =25 O C

330

NS

t r

Aufstiegszeit

140

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

842

NS

t F

Herbstzeit

84

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

144

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

87.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, v GE =-8V/+15V,

t Vj =125 O C

373

NS

t r

Aufstiegszeit

155

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

915

NS

t F

Herbstzeit

135

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

186

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

104

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r g =0.51Ω, L s =40nH, v GE =-8V/+15V,

t Vj =175 O C

390

NS

t r

Aufstiegszeit

172

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

950

NS

t F

Herbstzeit

162

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

209

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

114

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs,V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V,

v CEM ≤ 1200V

3200

Ein

t P ≤6μs,V GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =800V,

v CEM ≤ 1200V

3000

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C

1.60

2.05

v

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.70

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.60

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

91.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

441

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,

t Vj =125 O C

141

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

493

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,

t Vj =175 O C

174

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

536

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.4

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

r Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.066 0.092

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

400

g

P

Maximaler Druck in Kühlkreislauf

3

Stange

∆p

Druckabfall Kühlung Cir Schönheit

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 O C;Kühl Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

47

Mbar