IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

2083

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.7

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

39.6

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.20

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =15V

2.40

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

408

NS

t r

Aufstiegszeit

119

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

573

NS

t F

Herbstzeit

135

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

10.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

409

NS

t r

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

632

NS

t F

Herbstzeit

188

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

13.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

410

NS

t r

Aufstiegszeit

123

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

t F

Herbstzeit

198

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

14.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

56.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

40.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

259

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

67.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

323

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

77.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

342

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.072

0.095

K/W

r θ CS

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

0.123

0.162

K/W

r θ CS

Gehäuse zu Sink

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht Modul

300

g