Thyristor Frekuensi Tinggi

Saya T(AV)

1260A

V DRM ,V RRM

1200V 1400V

Tq

12 ~ 28μs

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

Jenis

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

Voltaj off-state puncak berulang Voltaj terbalik puncak berulang

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Arus puncak off-state berulang Arus puncak terbalik berulang

di VDRM di VRRM

125

80

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

1328

A2s*103

VTO

Voltan Ambang

125

1.65

V

rt

Rintangan slop keadaan aktif

0.36

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

VDM= 67%VDRM, kepada 2000A

Denyutan gerbang tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

Tq

Masa penutupan litar yang disambung

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.0

V

IH

Aktifkan arus

20

400

mA

IL

Arus penguncian

500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sinus, sisi bersalin berganda Pasukan penjepit 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

。C

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

。C

Wt

Berat

440

G

Gambaran Ringkas

KT50cT