Modul IGBT 1700V

GD650HFX170P1S, Modul IGBT, STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Pengenalan
Gambaran Ringkas

Pengenalan

Pengenalan ringkas Perkembangan

modul IGBT , dihasilkan oleh StarPower. 1700V 650A

Ciri-ciri

Rendah V CE (sat ) parit IGBT Teknologi
10μs keupayaan litar pintas ility
V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal
Maksimum suhu persimpangan 175O C
Diod yang Diperbesar untuk regeneratif operasi
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Keupayaan kuasa tinggi dan kitaran terma iaitu

Tipikal Aplikasi

Penukar kuasa tinggi
Tenaga Angin dan Solar
Pemanduan Tarikan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak Nota

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1700	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	1300	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C	4.2	kw

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1700	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	650	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	1300	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +150	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min	4000	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =650A,V GE =15V, t j =25 O C		1.90	2.35	V
		Saya C =650A,V GE =15V, t j =125 O C		2.35
		Saya C =650A,V GE =15V, t j =150 O C		2.45
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			2.3		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		72.3		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.75		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =- 15...+15V		5.66		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =650A, r Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j =25 O C		468		n
t r	Masa naik			86		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			850		n
t F	Waktu kejatuhan			363		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			226		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			161		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =650A, r Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125O C		480		n
t r	Masa naik			110		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			1031		n
t F	Waktu kejatuhan			600		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			338		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			226		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =650A, r Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150O C		480		n
t r	Masa naik			120		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			1040		n
t F	Waktu kejatuhan			684		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			368		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			242		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2600		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =650A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		Saya F =650A,V GE =0V,T j = 125O C		1.98
		Saya F =650A,V GE =0V,T j = 150O C		2.02
Q r	Caj Dipulihkan	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		176		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			765		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			87.4		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C		292		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			798		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			159		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C		341		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			805		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			192		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
ΔR/R	Pengecualian bagi r 100	t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		18		nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		0.30		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)			35.8 71.3	K/kW
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrin M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
G	Berat bagi modul		810		G