1700V 650A
Pengenalan ringkasPerkembangan
modul IGBT, dihasilkan oleh StarPower. 1700V 650A
Ciri-ciri
Tipikal Permohonan
Absolut Maksimum Penilaian tC=25OC kecuali jika tidak Nota
IGBT
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
VCES | Voltan kolektor-emiter | 1700 | V |
VGES | Voltan penyiaran pintu | ±20 | V |
SayaC | Arus Pengumpul @ TC=25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | A |
SayaCM | Arus Pengumpul Berdenyut tP=1ms | 1300 | A |
PD | Maksimum kuasa Pembaziran @ Tj= 175OC | 4.2 | kw |
Dioda
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
VRRM | Tegangan Terbalik Puncak Berulang | 1700 | V |
SayaF | Arus Maju Berterusan Diod=0V, | 650 | A |
SayaFM | Arus Maju Maksimum Diode tP=1ms | 1300 | A |
modul
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
tjmax | Suhu Sambungan Maksimum | 175 | OC |
tjop | Suhu Sambungan Operasi | -40 hingga +150 | OC |
tSTG | Suhu penyimpananJulat | -40 hingga +150 | OC |
VISO | Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | V |
IGBT Ciri-ciri tC=25OC kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | unit |
VCE(sat) |
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh | SayaC=650A,VGE=15V, tj=25OC |
| 1.90 | 2.35 |
V |
SayaC=650A,VGE=15V, tj=125OC |
| 2.35 |
| |||
SayaC=650A,VGE=15V, tj=150OC |
| 2.45 |
| |||
VGE(th) | Ambang Gate-Emitter voltan | SayaC=24.0mA,VCE=VGE, tj=25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
SayaCES | Kolektor Potongan-dimatikan Semasa | VCE=VCES,VGE=0V, tj=25OC |
|
| 5.0 | mA |
SayaGES | Kebocoran Gate-Emitter Semasa | VGE=VGES,VCE=0V,tj=25OC |
|
| 400 | nA |
rGint | Rintangan Gerbang Dalamanance |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | Kapasiti input | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
Cres | Pemindahan Balik Kapasitans |
| 1.75 |
| NF | |
QG | Bayaran pintu | VGE=- 15...+15V |
| 5.66 |
| μC |
tD(pada) | Masa kelewatan penyambutan |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj=25OC |
| 468 |
| n |
tr | Masa naik |
| 86 |
| n | |
tD(dimatikan) | Matikan Masa Lembapan |
| 850 |
| n | |
tF | Waktu kejatuhan |
| 363 |
| n | |
Epada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 226 |
| mJ | |
Edimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 161 |
| mJ | |
tD(pada) | Masa kelewatan penyambutan |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| n |
tr | Masa naik |
| 110 |
| n | |
tD(dimatikan) | Matikan Masa Lembapan |
| 1031 |
| n | |
tF | Waktu kejatuhan |
| 600 |
| n | |
Epada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 338 |
| mJ | |
Edimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 226 |
| mJ | |
tD(pada) | Masa kelewatan penyambutan |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| n |
tr | Masa naik |
| 120 |
| n | |
tD(dimatikan) | Matikan Masa Lembapan |
| 1040 |
| n | |
tF | Waktu kejatuhan |
| 684 |
| n | |
Epada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 368 |
| mJ | |
Edimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 242 |
| mJ | |
SayaSC |
Data SC | tP≤10μs,VGE=15V, tj=150OC,VCC= 1000V,VCEM≤1700V |
|
2600 |
|
A |
Dioda Ciri-ciri tC=25OC kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | unit |
VF | Dioda Maju voltan | SayaF=650A,VGE=0V,Tj=25OC |
| 1.85 | 2.30 |
V |
SayaF=650A,VGE=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
SayaF=650A,VGE=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
Qr | Caj Dipulihkan | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15Vtj=25OC |
| 176 |
| μC |
SayaRM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 765 |
| A | |
EREC | Pemulihan Terbaliktenaga |
| 87.4 |
| mJ | |
Qr | Caj Dipulihkan | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V tj= 125OC |
| 292 |
| μC |
SayaRM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 798 |
| A | |
EREC | Pemulihan Terbaliktenaga |
| 159 |
| mJ | |
Qr | Caj Dipulihkan | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V tj= 150OC |
| 341 |
| μC |
SayaRM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 805 |
| A | |
EREC | Pemulihan Terbaliktenaga |
| 192 |
| mJ |
NTC Ciri-ciri tC=25OC kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | unit |
r25 | Rintangan bertaraf |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Pengecualian bagi r100 | tC= 100 OC,R100= 493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Kuasa Perosakan |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | Nilai B | r2=R25Exp[B25/501/T2- 1/ ((298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B25/80 | Nilai B | r2=R25Exp[B25/801/T2- 1/ ((298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B25/100 | Nilai B | r2=R25Exp[B25/1001/T2- 1/ ((298.15K))] |
| 3433 |
| K |
modul Ciri-ciri tC=25OC kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Min. | - TIP. | Max. | unit |
LCE | Induktans Terbuang |
| 18 |
| nH |
rCC’+EE’ | Modul rintangan plumbum,terminal ke cip |
| 0.30 |
| mΩ |
rthJC | Junction-to-Case (per IGBT) Junction-to-Case (per Diode) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | Case-to-Heatsink (perIGBT) Case-to-Heatsink (per Diode) Case-to-Heatsink (perModul) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan TerminalTork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrin M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.M |
G | Berat bagi modul |
| 810 |
| G |
Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.
EN
