Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD2400SGT120C4S

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

SayaC

Arus Pengumpul @tC=25℃

@ TC= 100℃

3800

2400

A

SayaCM

Arus Pengumpul Berdenyut tP=1Ms

4800

A

SayaF

Arus Maju Berterusan Diod=0V,

2400

A

SayaFM

Arus Maju Maksimum Diode tP=1ms

4800

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ Tj=175℃

12.9

kw

tjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

tjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

tSTG

Suhu penyimpananJulat

-40 hingga +125

℃

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1Min

3400

V

Pemasangan Tork

Skru Terminal Isyarat:M4

1.8 hingga 2.1

Skru Terminal Kuasa:M8

8.0 hingga 10

N.M

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

Berat modul

2300

G

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V(BR)CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

tj=25℃

1200

V

SayaCES

Kolektor Potongan-dimatikan

Semasa

VCE=VCES,VGE=0V,tj=25℃

5.0

mA

SayaGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

VGE=VGES,VCE=0V, tj=25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter voltan

SayaC= 96mA,VCE=VGE, tj=25℃

5.0

5.8

6.5

V

VCE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

SayaC= 2400A,VGE=15V, tj=25℃

1.70

2.15

V

SayaC= 2400A,VGE=15V, tj=125℃

2.00

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC= 2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj=25℃

600

n

tr

Masa naik

215

n

tD(dimatikan)

Matikan Masa Lembapan

810

n

tF

Waktu kejatuhan

145

n

Epada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

/

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

/

mJ

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC= 2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj= 125℃

695

n

tr

Masa naik

235

n

tD(dimatikan)

Matikan Masa Lembapan

970

n

tF

Waktu kejatuhan

182

n

Epada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

488

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

382

mJ

Cies

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

173

NF

Coes

Kapacitans Output

9.05

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

7.85

NF

SayaSC

Data SC

tP≤10μs,VGE=15 V,

tj=125℃,VCC=900V, VCEM≤1200V

9600

A

QG

Bayaran pintu

VCC=600V,IC= 2400A, VGE=-15 ﹍+15V

23.0

μC

rGint

Rintangan Gerbang Dalamanance

0.42

Ω

LCE

Induktans Terbuang

10

nH

rCC’+EE’

Kepala Modul

rintangan,

terminal ke cip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

VF

Dioda Maju

voltan

SayaF= 2400A

VGE=0V

tj=25℃

1.65

2.05

V

tj=125℃

1.65

Qr

Dipulihkan

cas

SayaF= 2400A,

Vr=600V,

rGon=0.3Ω,

VGE=-15V

tj=25℃

240

μC

tj=125℃

460

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

tj=25℃

1650

A

tj=125℃

2150

EREC

Pemulihan Terbaliktenaga

tj=25℃

/

mJ

tj=125℃

208

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

rθJC

Junction-to-Case (per IGBT)

11.6

K/kW

rθJC

Junction-to-Case (per Diode)

19.7

K/kW

rθCS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif applied)

4

K/kW