GD900HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =90 O C

900

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

3409

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

900

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1800

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t P =10ms @ t j =25 O C @ T j =150 O C

4100

3000

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t P =10ms @ T j =25 O C

@ T j =150 O C

84000

45000

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Saya C =900A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.65

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.36

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

13.6

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

842

n

t F

Waktu kejatuhan

84

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

144

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

87.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

n

t r

Masa naik

155

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

915

n

t F

Waktu kejatuhan

135

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

186

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

104

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

n

t r

Masa naik

172

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

950

n

t F

Waktu kejatuhan

162

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

209

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

114

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V GE =15V,

t j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

Saya F =900A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.65

Saya F =900A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.55

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

441

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =125 O C

141

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

493

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

42.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

536

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

52.4

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.80

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.044

0.076

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G