GD1200SGT120A3S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

GD1200SGT120A3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2100

1200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms

2400

A

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

1200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

2400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃

7.61

kw

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Tork

Skru Terminal Isyarat:M4

1.8 hingga 2.1

Skru Terminal Kuasa:M8

8.0 hingga 10

N.M

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =48 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon =1.8Ω, r Goff =0,62Ω, V GE = ± 15V,T j =25 ℃

550

n

t r

Masa naik

230

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

830

n

t F

Waktu kejatuhan

160

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

/

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

/

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 1200A,

r Gon = 1.8Ω,R Goff =0,62Ω, V GE = ± 15V,T j =125 ℃

650

n

t r

Masa naik

240

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

970

n

t F

Waktu kejatuhan

190

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

246

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

189

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

85.5

NF

C oes

Kapacitans Output

4.48

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

3.87

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

t j =125 ℃,

V CC =900V, V CEM ≤1200V

4800

A

r Gint

Gerbang Dalaman

rintangan

1.9

Ω

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Kepala Modul

rintangan,

terminal ke cip

0.10

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.05

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Dipulihkan

cas

Saya F = 1200A,

V r =600V,

r Gon =0,6Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

112

μC

t j =125 ℃

224

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

850

A

t j =125 ℃

1070

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

48.0

mJ

t j =125 ℃

96.0

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

19.7

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (per D iode)

31.3

K/kW

r θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

8

K/kW

Berat

Berat modul

1050

G