1200V 1200A
Pendahuluan ringkas
modul IGBT, dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 1200A.
Ciri-ciri
Tipikal Permohonan
Absolut Maksimum Penilaian tC=25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Penerangan | GD1200SGT120A3S | Unit |
VCES | Voltan kolektor-emiter | 1200 | V |
VGES | Voltan penyiaran pintu | ±20 | V |
SayaC | Arus Pengumpul @tC=25℃ @ TC=80℃ | 2100 1200 | A |
SayaCM | Arus Pengumpul Berdenyut tP=1Ms | 2400 | A |
SayaF | Arus Maju Berterusan Diod=0V, | 1200 | A |
SayaFM | Arus Maju Maksimum Diode tP=1ms | 2400 | A |
PD | Maksimum kuasa Pembaziran @ Tj=175℃ | 7.61 | kw |
tjmax | Suhu Sambungan Maksimum | 175 | ℃ |
tSTG | Suhu penyimpananJulat | -40 hingga +125 | ℃ |
VISO | Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | V |
Pemasangan Tork | Skru Terminal Isyarat:M4 | 1.8 hingga 2.1 |
|
Skru Terminal Kuasa:M8 | 8.0 hingga 10 | N.M | |
Skru Pemasangan:M6 | 4.25 hingga 5.75 |
|
Elektrik Ciri-ciri bagi IGBT tC=25℃ kecuali jika tidak dicatat
Ciri-ciri Off
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
V(BR)CES | Kolektor-Pemancar Voltan Runtuh | tj=25℃ | 1200 |
|
| V |
SayaCES | Kolektor Potongan-dimatikan Semasa | VCE=VCES,VGE=0V,tj=25℃ |
|
| 5.0 | mA |
SayaGES | Kebocoran Gate-Emitter Semasa | VGE=VGES,VCE=0V, tj=25℃ |
|
| 400 | nA |
Ciri-ciri On
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
VGE(th) | Ambang Gate-Emitter voltan | SayaC=48mA,VCE=VGE, tj=25℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
VCE(sat) |
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh | SayaC= 1200A,VGE=15V, tj=25℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
SayaC= 1200A,VGE=15V, tj=125℃ |
| 2.00 |
|
Ciri-ciri Switching
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
tD(pada) | Masa kelewatan penyambutan |
VCC=600V,IC=1200A, rGon=1.8Ω,rGoff=0,62Ω,VGE= ± 15V,Tj=25℃ |
| 550 |
| n |
tr | Masa naik |
| 230 |
| n | |
tD(dimatikan) | Matikan Masa Lembapan |
| 830 |
| n | |
tF | Waktu kejatuhan |
| 160 |
| n | |
Epada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| / |
| mJ | |
Edimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| / |
| mJ | |
tD(pada) | Masa kelewatan penyambutan |
VCC=600V,IC= 1200A, rGon= 1.8Ω,RGoff=0,62Ω,VGE= ± 15V,Tj=125℃ |
| 650 |
| n |
tr | Masa naik |
| 240 |
| n | |
tD(dimatikan) | Matikan Masa Lembapan |
| 970 |
| n | |
tF | Waktu kejatuhan |
| 190 |
| n | |
Epada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 246 |
| mJ | |
Edimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 189 |
| mJ | |
Cies | Kapasiti input | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 85.5 |
| NF |
Coes | Kapacitans Output |
| 4.48 |
| NF | |
Cres | Pemindahan Balik Kapasitans |
| 3.87 |
| NF | |
SayaSC |
Data SC | tP≤10μs,VGE=15 V, tj=125℃, VCC=900V, VCEM≤1200V |
|
4800 |
|
A |
rGint | Gerbang Dalaman rintangan |
|
| 1.9 |
| Ω |
LCE | Induktans Terbuang |
|
| 15 |
| nH |
rCC’+EE’ | Kepala Modul rintangan, terminal ke cip |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
Elektrik Ciri-ciri bagi Dioda tC=25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit | |
VF | Dioda Maju voltan | SayaF= 1200A | tj=25℃ |
| 1.65 | 2.05 | V |
tj=125℃ |
| 1.65 |
| ||||
Qr | Dipulihkan cas | SayaF= 1200A, Vr=600V, rGon=0,6Ω, VGE=-15V | tj=25℃ |
| 112 |
| μC |
tj=125℃ |
| 224 |
| ||||
SayaRM | Puncak Terbalik arus pemulihan | tj=25℃ |
| 850 |
| A | |
tj=125℃ |
| 1070 |
| ||||
EREC | Pemulihan Terbaliktenaga | tj=25℃ |
| 48.0 |
| mJ | |
tj=125℃ |
| 96.0 |
| ||||
Ciri-ciri Termaikat sosial
Simbol | Parameter | - TIP. | Max. | Unit |
rθJC | Junction-to-Case (per IGBT) |
| 19.7 | K/kW |
rθJC | Junction-to-Case (per Diode) |
| 31.3 | K/kW |
rθCS | Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif applied) | 8 |
| K/kW |
Berat | Berat modul | 1050 |
| G |
Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.
EN
