Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD450HFL120B3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

715

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms

900

A

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃

2679

W

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Tork

Skru Terminal Kuasa:M5

Skru Pemasangan:M6

2.5 hingga 5.0

3.0 hingga 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 18.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

V

Saya C =450A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.20

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j =25 ℃

220

n

t r

Masa naik

68

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

475

n

t F

Waktu kejatuhan

55

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

48.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

28.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j =125 ℃

250

n

t r

Masa naik

72

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

530

n

t F

Waktu kejatuhan

80

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

66.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

45.0

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

31.8

NF

C oes

Kapacitans Output

2.13

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.41

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

t j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V

1950

A

Q G

Bayaran pintu

V CC =600V,I C =450A, V GE =-15 ﹍+15V

4.59

μC

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

Ω

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Kepala Modul

rintangan,

terminal ke cip

0.35

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A

V GE =0V

t j =25 ℃

1.72

2.12

V

t j =125 ℃

1.73

Q r

Dipulihkan

cas

Saya F =450A,

V r =600V,

r G =2.2Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

36.2

μC

t j =125 ℃

78.1

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

234

A

t j =125 ℃

314

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

19.1

mJ

t j =125 ℃

36.3

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.056

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (per D iode)

0.107

K/W

r θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

0.035

K/W

Berat

Berat modul

300

G