Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

V aloe

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus pengumpul @ TC=25°C

Arus pengumpul @ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut tp= 1ms

7200

A

IF

Arus Terus Diode

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diod @ TC=80℃

7200

A

PD

Pembubaran Kuasa Maksimum @ Tj=175℃

20

kw

Tj

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Pemasangan

Skru Terminal Isyarat:M4

1.8 hingga 2.1

Skru Terminal Kuasa:M8

8.0 hingga 10

N.M

Tork

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

Tj=25℃

1700

V

ICES

Arus pemotongan kolektor

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A, VGE=15V, Tj=125°C

2.40

2.85

Qg

Bayaran pintu

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Resistor Gate Dalaman

Tj=25℃

0.4

Ω

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

tr

Masa naik

205

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1510

n

TF

Waktu kejatuhan

185

n

EON

Kerugian Suis Hidup

498

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

1055

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

n

tr

Masa naik

225

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1800

n

TF

Waktu kejatuhan

325

n

EON

Kerugian Suis Hidup

746

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

1451

mJ

Ces

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Kapacitans Output

13.2

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

10.5

NF

ISC

Data SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj = 125°C,VCC = 1000V, VCEM ≤ 1700V

14000

A

LCE

Induktans Terbuang

10

nH

RCC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =3600A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j =125 ℃

1.90

2.30

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =3600A,

V r =900V,

r Gon =0,4Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

836

μC

t j =125 ℃

1451

Saya RM

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

2800

A

t j =125 ℃

3300

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

590

mJ

t j =125 ℃

1051