Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ TC=25oC

Arus pengumpul @ TC=65oC

4446

3600

A

ICM

Arus Pengumpul Berdenyut tp=1ms

7200

A

PD

Pembubaran Kuasa Maksimum @ Tj=175oC

15.3

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

IF

Arus Terus Diode

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode tp=1ms

7200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

Tjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

^O C

Tjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

^O C

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

^O C

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VCE (sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE(th)

Tegangan Ambang Gate-Emitter

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

Pemotongan Kolektor

Semasa

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Arus Kebocoran Gate-Emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

nA

RGint

Rintangan Dalaman Gate

0.53

Ω

Ces

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

8.64

NF

Qg

Bayaran pintu

VGE=+15…+15V

21.6

μC

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

n

tr

Masa naik

280

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1600

n

TF

Waktu kejatuhan

175

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

650

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

1100

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

n

tr

Masa naik

290

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1800

n

TF

Waktu kejatuhan

315

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

800

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

1500

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

n

tr

Masa naik

295

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1850

n

TF

Waktu kejatuhan

395

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

900

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

1600

mJ

ISC

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VF

Dioda Maju

voltan

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Caj Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

2600

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

490

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

3150

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

950

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

3300

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

1100

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

LCE

Induktans Terbuang

6.0

nH

RCC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.12

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Junction-to-Case (per Diod)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Kes-ke-pemanas (per IGBT)

Case-to-Heatsink (per Diod)

Case-to-Heatsink (per Modul)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Tork Sambungan Terminal, Skru M8 Tork Pemasangan, Skru M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat Modul

2300

G