Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150 O C

7.40

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

900

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

3.40

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

8.56

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 800A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

90

n

t r

Masa naik

81

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

500

n

t F

Waktu kejatuhan

55

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

36.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

41.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 800A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

115

n

t r

Masa naik

92

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

550

n

t F

Waktu kejatuhan

66

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

52.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

59.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

5200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

56

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

550

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

38.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

148

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

920

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

91.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

12

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.19

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

16.9

26.2

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink (per IGBT)

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

19.7

30.6

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink

6.0

K/kW

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat bagi modul

1500

G