Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

1000

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

3409

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 15.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.74

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.66

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

257

n

t r

Masa naik

96

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

628

n

t F

Waktu kejatuhan

103

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

37.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

51.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

268

n

t r

Masa naik

107

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

659

n

t F

Waktu kejatuhan

144

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

53.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

77.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

278

n

t r

Masa naik

118

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

680

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

58.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

82.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

61.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

280

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

20.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

114

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

415

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

43.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

128

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

443

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

50.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.044

0.078

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.016

0.028

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G