Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD600SGL120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

950

A

600

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

Saya F

Arus Terus Diode

600

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175℃

3750

W

t SC

Pengelipatan dengan dan Masa

10

μs

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

Saya 2nilai-t, Diode

V r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

74000

A 2S

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Tork Pemasangan

Terminal Isyarat Skrin:M4

1.1 hingga 2.0

Skru Terminal Kuasa:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Skru:M6

3.0 hingga 5.0

Berat

Berat bagi modul

300

G

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C = 24 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.9

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j = 125℃

2.1

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

200

n

t r

Masa naik

62

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

510

n

t F

Waktu kejatuhan

V CC =600V,I C =600A, r G =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

60

n

E pada

Penghidupan Suis

Kerugian

39

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A,

r G =3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

210

n

t r

Masa naik

65

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

600

n

t F

Waktu kejatuhan

75

n

E pada

Penghidupan Suis

Kerugian

45

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

60

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

41.0

NF

C oes

Kapacitans Output

3.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

2.0

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Rintangan pemimpin modul e, terminal ke cip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A

t j =25 ℃

1.8

2.4

V

t j = 125℃

1.9

2.5

Q r

Dioda Balik

Bayaran pemulihan

Saya F =600A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

t j =25 ℃

65

μC

t j = 125℃

100

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

450

A

t j = 125℃

510

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

35

mJ

t j = 125℃

42

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-ke-Kes (Bahagian IGBT, pe r Modul)

0.04

℃ /W

r θ JC

Junction-to-Case (Bahagian Diode, setiap Modu (Le)

0.09

℃ /W

r θ CS

Kes-ke-Penyerapan (Minyak pelincir konduktif a pplied)

0.035

℃ /W