Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

1009

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T =150 O C

4032

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

2.15

2.60

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

2.65

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

40.8

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

2.64

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

6.35

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =3.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

673

n

t r

Masa naik

207

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

995

n

t F

Waktu kejatuhan

154

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

23.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

88.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =3.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

678

n

t r

Masa naik

211

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1047

n

t F

Waktu kejatuhan

164

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

29.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

95.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

55.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

288

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

98.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

375

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.031

0.070

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G