Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1090

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

3947

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.90

Saya C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

1.95

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.74

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.62

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

136

n

t r

Masa naik

77

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

494

n

t F

Waktu kejatuhan

72

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

53.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

179

n

t r

Masa naik

77

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

628

n

t F

Waktu kejatuhan

113

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

70.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

74.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

179

n

t r

Masa naik

85

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

670

n

t F

Waktu kejatuhan

124

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

76.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

81.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =125 O C

2.05

Saya F =600A,V GE =0V,T j =150 O C

2.10

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

58.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

276

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

20.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j =125 O C

109

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

41.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j =150 O C

124

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

428

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.038

0.066

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G