Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

Voltaj Gerbang-Emitor Transien

±20

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

873

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

2727

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

Saya C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

55.9

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.57

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.20

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω

L S =34nH, V GE = ± 15V,T j =25 O C

109

n

t r

Masa naik

62

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

469

n

t F

Waktu kejatuhan

68

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

42.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

46.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω,

L S =34 nH ,

V GE = ± 15V,T j =125 O C

143

n

t r

Masa naik

62

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

597

n

t F

Waktu kejatuhan

107

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

56.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

70.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω,

L S =34 nH ,

V GE = ± 15V,T j =150 O C

143

n

t r

Masa naik

68

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

637

n

t F

Waktu kejatuhan

118

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

61.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

77.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.05

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.10

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34 nH ,t j =25 O C

58.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

276

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

20.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34 nH ,t j =125 O C

109

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

41.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34 nH ,t j =150 O C

124

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

428

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.055

0.089

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.032

0.052

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G