Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

3000

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.65

2.00

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.84

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.64

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25 O C

308

n

t r

Masa naik

42

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

431

n

t F

Waktu kejatuhan

268

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

15.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

51.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE = ± 15V,T j =125 O C

311

n

t r

Masa naik

49

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

467

n

t F

Waktu kejatuhan

351

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

31.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

69.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE = ± 15V,T j =150 O C

313

n

t r

Masa naik

51

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

475

n

t F

Waktu kejatuhan

365

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

34.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

71.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

38.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

524

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

34.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E =- 15V, t j = 125O C

82.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

565

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

54.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E =- 15V, t j = 150O C

94.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

589

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

55.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.050

0.080

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G