Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD450HTT120C7S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Ciri-ciri

  • Rendah V CE(sat) Tanah parit IGBT teknologi GY
  • Rendah Kerugian pertukaran
  • 10μs keupayaan litar pendek
  • RBSOA Kuadrat
  • V CE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Rendah induktans Kes
  • Cepat & FWD pemulihan belakang lembut anti-selari
  • Tembaga terisolasi ba seplate menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Inverter untuk motor Pemandu
  • AC dan DC servo Pemandu pemberi kuasa
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Inverter IGBT t C =25 kecuali dinyatakan sebaliknya

Nilai Nomer Maksimum

Simbol

Penerangan

GD450HTT120C7S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter @ T j =25

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25

@ T C =80

650

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

900

A

P tot

Jumlah Pembaziran Kuasa @ T j = 175

2155

W

t SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =150

10

μs

Ciri-ciri Off

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25

400

nA

Ciri-ciri On

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C = 18.0mA,V CE =V GE , t j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t j =25

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE =15V, t j =125

1.90

Mengubah Watak Istik

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

V CC =600V,I C =450A, R G = 1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25

23.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

31.0

mJ

E tot

Jumlah Kerugian Penukaran

54.0

mJ

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

V CC =600V,I C =450A, R G = 1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125

36.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.0

mJ

E tot

Jumlah Kerugian Penukaran

84.0

mJ

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =25

160

n

t r

Masa naik

90

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

500

n

t F

Waktu kejatuhan

130

n

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =125

170

n

t r

Masa naik

100

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

570

n

t F

Waktu kejatuhan

160

n

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

32.3

NF

C oes

Kapacitans Output

1.69

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.46

NF

Saya SC

Data SC

t S C 10μs,V GE 15V, t j =125 ,

V CC =900V, V CEM 1200V

1800

A

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.7

Oh

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

4.3

μC

Inverter dioda t C =25 kecuali yang lain bijak dicatat

Nilai Nomer Maksimum

Simbol

Penerangan

GD450HTT120C7S

Unit

V RRM

Voltan kolektor-emiter @ T j =25

1200

V

Saya F

DC ke hadapan semasa @ t C =80

450

A

Saya Pendapatan

Arus Maju Puncak Berulang t P = 1ms

900

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t,V r =0V, T P = 10ms, T j = 125

35000

A 2S

Ciri-ciri Nilai

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A,V GE =0V

t j =25

1.65

2.15

V

t j =125

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =450A,

V r =600V,

di/dt=-5200A/μs, V GE =-15V

t j =25

45.1

n

t j =125

84.6

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25

316

A

t j =125

404

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25

21.1

mJ

t j =125

38.9

Elektrik Ciri-ciri bagi NTC t C =25 kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

disipasi kuasa

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

modul IGBT

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE

Resistans Pangkalan Modul Ce, Terminal kepada Chip @ T C =25

1.1

m Ω

r θJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT )

Junction-to-Case (per D iode)

0.058

0.102

K/W

r θCS

Kes-ke-Penyerapan (Minyak pelincir konduktif a pplied)

0.005

K/W

t j

Suhu Sambungan Maksimum

150

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40

125

Pemasangan

Tork

Terminal kuasa Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

Pemasangan Skru:M6

3.0

6.0

N.M

Berat

Berat modul

910

G

Gambaran Ringkas

image(6778dd5b7b).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000