Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Ciri-ciri

  • Rendah V CE (sat ) parit IGBT Teknologi
  • 10μs keupayaan litar pintas ility
  • V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal
  • Maksimum suhu persimpangan 175O C
  • Rendah induktans Kes
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti-paralel
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Hibrid dan elektrik v Hicle
  • Inverter untuk motor D RIV
  • Kuasa yang tidak terganggu r bekalan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

2173

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

900

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =450A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 11.3mA,V CE =V GE ,t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.31

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

203

n

t r

Masa naik

64

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

491

n

t F

Waktu kejatuhan

79

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

16.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

38.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

235

n

t r

Masa naik

75

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

581

n

t F

Waktu kejatuhan

109

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

27.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

55.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

235

n

t r

Masa naik

75

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

621

n

t F

Waktu kejatuhan

119

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

30.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

61.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

55.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

518

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

106

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

633

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

47.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

121

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

661

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

53.9

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.069

0.108

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.030

0.046

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000