Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

685

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

2206

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P = 1ms

900

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 18.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.26

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE = 15V

2.46

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

360

n

t r

Masa naik

140

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

550

n

t F

Waktu kejatuhan

146

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

11.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

374

n

t r

Masa naik

147

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

623

n

t F

Waktu kejatuhan

178

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

64.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

381

n

t r

Masa naik

152

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

636

n

t F

Waktu kejatuhan

184

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

19.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

69.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE = 15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.72

2.12

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.73

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.74

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

40.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

258

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

71.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

338

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

39.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

79.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

352

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.35

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.068

0.117

K/W

r θ CS

Kes-ke-Sink (per IGBT)

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

0.111

0.190

K/W

r θ CS

Kes-ke-Sink

0.035

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat modul

300

G