Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD400SGK120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

Simbol

Penerangan

GD400SGK120C2S

Unit

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20V

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

A

400

Saya CM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

Saya F

Diod berterusan ke hadapan arus nt

400

A

Saya FM

Dioda Maksimum arus ke hadapan nt

800

A

P D

Kuasa maksimum Penghapusan @ t j =150 ℃

2500

W

t SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =1 25℃

10

μs

t j

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

Saya 2nilai-t, Diode

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2S

V ISO

Voltan Pengasingan RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Pemasangan

Tork

Terminal kuasa Skrin:M4

Terminal kuasa Skru:M6

1.1 hingga 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Skru:M6

3.0 hingga 6.0

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

BV CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Gerbang-Pemancar

Voltan Ambang

Saya C =5.0mA,V CE =V GE ,

t j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V,T j =25 ℃

2.2

V

Saya C =400A,V GE =15V,

t j =125 ℃

2.5

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A,

258

n

t r

Masa naik

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V,

110

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

t j = 25 ℃

285

n

t F

Waktu kejatuhan

V CC =600V,I C =400A,

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V, t j = 25 ℃

70

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

45

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

26

mJ

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A,

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V, t j = 125℃

260

n

t r

Masa naik

120

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

300

n

t F

Waktu kejatuhan

80

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

60

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

40

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1.0MHz,

V GE =0V

74.7

NF

C oes

Kapacitans Output

3.3

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.64

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =125 ℃ , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

2400

A

L CE

Induktans Terbuang

16

nH

r CC ’+ EE ’

Kepala Modul

rintangan, Terminal kepada Cip

t C =25 ℃

0.50

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A

t j =25 ℃

2.0

2.3

V

t j =125 ℃

2.2

2.5

Q r

Dioda Balik

Bayaran pemulihan

Saya F =400A,

V r =600V,

di/dt=-4100A/μs, V GE =-15V

t j =25 ℃

31

μC

t j =125 ℃

66

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

300

A

t j =125 ℃

410

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

12

mJ

t j =125 ℃

28

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θJC

Sambungan ke Casing (IGBT Part, per 1/2 Modul)

0.05

K/W

r θJC

Junction-to-Case (Diode Bahagian, setiap 1/2 Modul)

0.08

K/W

r θCS

Kes-ke-Penyerapan (Minyak pelincir konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Berat modul

340

G