Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

700

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

2542

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

Saya C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.9

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.31

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.20

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

250

n

t r

Masa naik

39

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

500

n

t F

Waktu kejatuhan

100

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

17.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

42.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

299

n

t r

Masa naik

46

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

605

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

25.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

61.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

320

n

t r

Masa naik

52

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

625

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

30.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

66.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =600V, V CEM ≤1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE =- 15V, t j =25 O C

44

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

490

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE =- 15V, t j = 125O C

78

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

555

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

35.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE =- 15V, t j = 150O C

90

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

565

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

38.8

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

disipasi kuasa

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.059

0.106

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G