Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

659

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

2727

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

2.00

2.45

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.40

Saya C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.50

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.92

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

3.08

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G = 2.2Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

367

n

t r

Masa naik

112

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

523

n

t F

Waktu kejatuhan

236

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

42.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

76.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G = 2.2Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

375

n

t r

Masa naik

116

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

599

n

t F

Waktu kejatuhan

458

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

58.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

109

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G = 2.2Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

377

n

t r

Masa naik

120

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

611

n

t F

Waktu kejatuhan

560

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

73.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

118

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

101

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

488

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

71.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

150

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

562

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

106

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

160

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

575

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

112

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.055

0.105

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.107

0.204

0.035

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G