Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD400HFL120C2SN

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

650

A

400

Saya CM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

Saya F

Arus Terus Diode @ T C =80 ℃

400

A

Saya FM

Dioda Maksimum arus ke hadapan nt

800

A

P D

Kuasa maksimum Penghapusan @ t j =150 ℃

2450

W

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal kuasa Skru:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Tork

Pemasangan Skru:M6

3.0 hingga 5.0

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =4.1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 ℃

910

n

t r

Masa naik

200

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

848

n

t F

Waktu kejatuhan

110

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

33.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

39.5

mJ

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =4.1Ω,V GE = ± 15V, t j =125 ℃

1047

n

t r

Masa naik

201

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

998

n

t F

Waktu kejatuhan

150

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

46.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

57.6

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

29.7

NF

C oes

Kapacitans Output

2.08

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.36

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =25 ℃ ,V CC =600V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.5

Oh

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Rintangan Pemimpin Modul nce, terminal ke cip

t C =25 ℃

0.35

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.40

V

t j =125 ℃

1.85

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =400A,

V r =600V,

di/dt=-2680A/μs, V GE =-15V

t j =25 ℃

26

μC

t j =125 ℃

49

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

212

A

t j =125 ℃

281

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

13.4

mJ

t j =125 ℃

23.8

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT )

0.051

K/W

r θJC

Gabungan-ke-Kes (per Diode)

0.072

K/W

r θCS

Kasus-ke-Sink (Grem konduktif) digunakan)

0.035

K/W

Berat

Berat modul

300

G