Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

1612

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

650

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

920

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

650

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 7.50 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

21.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.20

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

2.60

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

182

n

t r

Masa naik

54

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

464

n

t F

Waktu kejatuhan

72

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

10.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

25.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

193

n

t r

Masa naik

54

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

577

n

t F

Waktu kejatuhan

113

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

16.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

38.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

203

n

t r

Masa naik

54

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

618

n

t F

Waktu kejatuhan

124

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

18.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

43.3

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya C =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya C =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.65

Saya C =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q r

Dipulihkan

cas

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, t j =25 O C

29

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

318

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

18.1

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, t j = 125O C

55

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

371

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

28.0

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, t j = 150O C

64

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

390

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

32.8

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

17.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.51

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ﹍+15V

2.88

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

88

n

t r

Masa naik

40

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

294

n

t F

Waktu kejatuhan

43

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.34

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

8.60

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

96

n

t r

Masa naik

48

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

312

n

t F

Waktu kejatuhan

60

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.86

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

10.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

104

n

t r

Masa naik

48

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

318

n

t F

Waktu kejatuhan

60

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.98

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.3

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

1500

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.50

Saya F =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.45

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

14.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

209

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.74

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

26.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

259

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.82

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

30.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

275

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.70

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Gabungan-ke-Bungkus (setiap T1, T2 IGBT)

Gabungan-ke-Kase (per D1,D2 Dio) de)

Gabungan ke Cases (setiap T3, T4 IGBT)

Gabungan ke Cases (per D3,D4 Dio de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per T1,T2 IGBT)

Kes ke Heatsink (setiap D1,D2) Diode)

Case-to-Heatsink (per T3,T4 IGBT)

Kes ke Heatsink (setiap D3, D4) Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

340

G