Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

540

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

1948

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

650

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

415

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

1086

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

650

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

21.5

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.98

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.80

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

250

n

t r

Masa naik

90

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

550

n

t F

Waktu kejatuhan

130

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

17.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

29.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

300

n

t r

Masa naik

100

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

650

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

25.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

44.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

320

n

t r

Masa naik

100

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

680

n

t F

Waktu kejatuhan

190

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

27.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

30.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

210

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

14.0

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

56.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

270

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.0

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

62.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

290

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

28.5

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

18.5

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.55

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15V ...+15V

3.22

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

110

n

t r

Masa naik

50

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

490

n

t F

Waktu kejatuhan

50

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.13

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

9.83

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

120

n

t r

Masa naik

60

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

520

n

t F

Waktu kejatuhan

70

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

3.10

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

12.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

130

n

t r

Masa naik

60

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

530

n

t F

Waktu kejatuhan

70

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

3.30

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

12.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

1500

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

13.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

190

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.40

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

24.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

235

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.20

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r = 300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

28.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

250

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.00

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Gabungan-ke-Bungkus (setiap T1, T2 IGBT)

Gabungan-ke-Kase (per D1,D2 Dio) de)

Gabungan ke Cases (setiap T3, T4 IGBT)

Gabungan ke Cases (per D3,D4 Dio de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per T1,T2 IGBT)

Kes ke Heatsink (setiap D1,D2) Diode)

Case-to-Heatsink (per T3,T4 IGBT)

Kes ke Heatsink (setiap D3, D4) Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

m

Tork Pemasangan, Skrup M6

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M